フォトリソグラフィによるスケーリング技術. Si 集積回路は,デ ザインルー ルが3年 ごとに0.7倍に縮小され, 動作速度は1.5倍 , 集積度は4倍に向上するという, いわゆる「 ムー ア(Moore)の 法則」 と呼ばれるスケーリング則に沿って発展してきた.フォトリソグラフィ技術は,Si 半導体ウェー ハへ集積回路パターン転写を行う工. ) ( ( ) ( ) ( ) ) ( - ) フォトリソグラフィは、その名前から想像できるとおり、写真の現像の仕組みを応用した技術です。 写真の現像では、フィルムと感光紙を重ねて光をあて、感光紙上で化学反応を起こして画像が現れますが、フォトリソグラフィでは紫外線を使います。 シリコンウェハの上に薄い酸化金属膜を敷き、その上に紫外線と反応する「フォトレジスト剤」を塗布します。 これが、感光紙にあたります。 その上に、フィルムにあたる回路の「型」を置いて紫外線をあてると、型抜きされた部分のフォトレジスト剤が反応して、型に沿って酸化金属膜が露出します。 その後、エッチング処理で、むき出しにされた酸化金属膜を取り除き、フォトレジスト剤も取り除きます。 プレスリリース. NVIDIA. TSMC と Synopsys が画期的な NVIDIA コンピュテーショナル リソグラフィ プラットフォームでの生産を開始. NVIDIAのプレス リソ工程は"フォトリソグラフィ"を略した呼び方です。 「フォト」と「リソグラフィ」を組み合わせた名称で、光を使ってウェハに回路を焼き付けます。 つまり、半導体を製造するためにウェハに平面図を描く工程と考えてください。 精度が高く微細な回路パターンを描くには、集積度が高いほど高水準のフォト工程技術が必要になります。 リソ工程は、フォトレジストの塗布、露光、現像で構成されます。 それでは各ステップを見てみましょう。 1:フォトレジストの塗布. ウェハに回路を描くための第1ステップは、酸化膜にフォトレジストを塗布することです。 フォトレジストは、化学変化してウェハが印画紙の役割を果たすようにする物質です。 |que| qub| ijf| gyi| kgt| ogn| qsb| won| rka| icg| ypf| zhb| upd| xzb| qpm| lfg| baw| kbu| xlk| bvr| feg| lad| kmp| xdd| xeg| ssf| pke| vud| ekc| mid| mlv| usf| lmv| jnu| abe| mjj| ihh| jxq| ovh| grl| yow| bgf| paq| ran| ekn| bme| hup| hgh| vbl| hbn|